componentes SMD

Mosfet Canal N SMD.
Diseñado para minimizar la resistencia de estado activado y mantener un rendimiento de conmutación superior, haciéndolo ideal para aplicaciones de gestión de energía de alta eficiencia. Caracterizado por una baja resistencia de encendido, baja tensión de umbral de puerta, baja capacitancia de entrada, una velocidad de conmutación rápida. Ideal para aplicaciones de control de motores o administradores de energía.

Especificaciones:

Voltaje drain – source: 60 V.
Voltaje drain – gate: 60 V.
Voltaje gate – source: 20 V.
Máxima corriente drain: 210 mA.
Máxima disipación de potencia: 540 mW.
Rango de temperatura: – 55 °C ~ +150 °C.
Empaque: SOT-23.